Hivatkozási szám

MSZ EN 62979:2018

Dokumentumazonosító

167194

Cím

Fotovillamos (PV-) modulok. Áthidalódióda. Hőmegfutás-vizsgálat (IEC 62979:2017)

Angol cím

Photovoltaic module. Bypass diode. Thermal runaway test (IEC 62979:2017)

Alkalmazási terület

This document provides a method for evaluating whether a bypass diode as mounted in the module is susceptible to thermal runaway or if there is sufficient cooling for it to survive the transition from forward bias operation to reverse bias operation without overheating. This test methodology is particularly suited for testing of Schottky barrier diodes, which have the characteristic of increasing leakage current as a function of reverse bias voltage at high temperature, making them more susceptible to thermal runaway. The test specimens which employ P/N diodes as bypass diodes are exempted from the thermal runaway test required herein, because the capability of P/N diodes to withstand the reverse bias is sufficiently high.

ICS

27.160 Napenergia

Műszaki Bizottság

A szabvány nyelve

angol

Az érvényesség kezdete

2018-04-01

Forrás

idt EN 62979:2017; idt IEC 62979:2017

Előd

Utód

Módosítás

SZK-közlemények

Kapcsolódó európai jogszabály

A szabvány

kapható formátuma

Papír ,
PDF (letöltés) (a fájl mérete: 578997) ,

oldalszáma

17 oldal; J kategória

ára

Nettó: 9170 Ft
Bruttó:
Papír formátum esetén (5% Áfával): 11554 Ft
PDF (letöltés) formátum esetén (27% Áfával): 11646 Ft