Szabványkereső

Hivatkozási szám, azonosító jelzet, vagy a szabványcímben előforduló kulcsszó szerinti keresés:

ICS (a szabványok nemzetközi osztályozási rendszere) szerinti keresés

Nettó ár: 10600 Ft
Kosárba tesz
Alapadatok
Hivatkozási szám
MSZ EN IEC 63373:2022
Dokumentumazonosító
179203
Cím
Irányelvek a GaN HEMT-alapú áramátalakító eszközök dinamikus bekapcsolási ellenállásának vizsgálati módszeréhez (IEC 63373:2022)
Angol cím
Dynamic on-resistance test method guidelines for GaN HEMT based power conversion devices (IEC 63373:2022)
Alkalmazási terület
In general, dynamic ON-resistance testing is a measure of charge trapping phenomena in GaN power transistors. This publication provides guidelines for testing dynamic ON-resistance of GaN lateral power transistor solutions. The test methods can be applied to the following: a) GaN enhancement and depletion-mode discrete power devices [3]; b) GaN integrated power solutions; c) the above in wafer and package levels. The prescribed test methods can be used for device characterization, production testing, reliability evaluations and application assessments of GaN power conversion devices. This document is not intended to cover the underlying mechanisms of dynamic ON-resistance and its symbolic representation for product specifications.
ICS
31.080.99 Egyéb félvezető eszközök
Műszaki Bizottság
MSZT/MCS 820 - Elektronikai alkatrészek
A szabvány nyelve
angol
Az érvényesség kezdete
2022-08-01
További adatok
Forrás
idt IEC 63373:2022; idt EN IEC 63373:2022
Előd
Utód
Módosítás
Kiegészítő információk
SZK-közlemények
Kapcsolódó európai jogszabály
Kereskedelmi adatok
A szabvány
kapható formátuma
Papír ,
PDF (letöltés) (a fájl mérete: 873813) ,
oldalszáma
17 oldal; L kategória
ára
Nettó: 10600 Ft
Bruttó:
Papír formátum esetén (5% Áfával): 13356 Ft
PDF (letöltés) formátum esetén (27% Áfával): 13462 Ft
Szabvány életútja
Elődök

Jelenleg nincsenek előzmények

Megtekintett szabvány

MSZ EN IEC 63373:2022

2022-08-01

Utódok

Jelenleg nincsenek utódok