Hivatkozási szám

MSZ EN 60749-44:2017

Dokumentumazonosító

164764

Cím

Félvezető eszközök. Mechanikai és klimatikus vizsgálati módszerek. 44. rész: Neutronnyalábbal besugárzott, egyszeri eseményhatású (SEE) vizsgálati módszer félvezető eszközökhöz (IEC 60749-44:2016)

Angol cím

Semiconductor devices. Mechanical and climatic test methods. Part 44: Neutron beam irradiated single event effect (SEE) test method for semiconductor devices (IEC 60749-44:2016)

Alkalmazási terület

This part of IEC 60749 establishes a procedure for measuring the single event effects (SEEs) on high density integrated circuit semiconductor devices including data retention capability of semiconductor devices with memory when subjected to atmospheric neutron radiation produced by cosmic rays. The single event effects sensitivity is measured while the device is irradiated in a neutron beam of known flux. This test method can be applied to any type of integrated circuit. NOTE 1 Semiconductor devices under high voltage stress can be subject to single event effects including SEB, single event burnout and SEGR single event gate rupture, for this subject which is not covered in this document, please refer to IEC 62396-4 [2]. NOTE 2 In addition to the high energy neutrons some devices can have a soft error rate due to low energy (<1 eV) thermal neutrons. For this subject which is not covered in this document, please refer to IEC 62396-5 [3].

ICS

31.080.01 Félvezető eszközök általában

Műszaki Bizottság

A szabvány nyelve

angol

Az érvényesség kezdete

2017-03-01

Forrás

idt EN 60749-44:2016; idt IEC 60749-44:2016

Előd

Utód

Módosítás

SZK-közlemények

Kapcsolódó európai jogszabály

A szabvány

kapható formátuma

Papír ,
PDF (letöltés) (a fájl mérete: 455959) ,

oldalszáma

23 oldal; N kategória

ára

Nettó: 11980 Ft
Bruttó:
Papír formátum esetén (5% Áfával): 15095 Ft
PDF (letöltés) formátum esetén (27% Áfával): 15215 Ft