Hivatkozási szám

MSZ EN 62047-16:2015

Dokumentumazonosító

161781

Cím

Félvezető eszközök. Mikro-elektromechanikus eszközök. 16. rész: Vizsgálati módszerek a MEMS-rétegek maradványfeszültségének meghatározására. Lapkagörbületi és konzolos sugáreltérítési módszerek (IEC 62047-16:2015)

Angol cím

Semiconductor devices. Micro-electromechanical devices. Part 16: Test methods for determining residual stresses of MEMS films. Wafer curvature and cantilever beam deflection methods (IEC 62047-16:2015)

Alkalmazási terület

This part of IEC 62047 specifies the test methods to measure the residual stresses of films with thickness in the range of 0,01 µm to 10 µm in MEMS structures fabricated by wafer curvature or cantilever beam deflection methods. The films should be deposited onto a substrate of known mechanical properties of Young’s modulus and Poisson’s ratio. These methods are used to determine the residual stresses within thin films deposited on substrate [1]1.

ICS

31.080.99 Egyéb félvezető eszközök

Műszaki Bizottság

A szabvány nyelve

angol

Az érvényesség kezdete

2015-11-01

Forrás

idt IEC 62047-16:2015; idt EN 62047-16:2015

Előd

Utód

Módosítás

SZK-közlemények

Kapcsolódó európai jogszabály

A szabvány

kapható formátuma

Papír ,
PDF (letöltés) (a fájl mérete: 458715) ,

oldalszáma

14 oldal; G kategória

ára

Nettó: 8000 Ft
Bruttó:
Papír formátum esetén (5% Áfával): 10080 Ft
PDF (letöltés) formátum esetén (27% Áfával): 10160 Ft