Szabványkereső

Hivatkozási szám, azonosító jelzet, vagy a szabványcímben előforduló kulcsszó szerinti keresés:

ICS (a szabványok nemzetközi osztályozási rendszere) szerinti keresés

Nettó ár: 6200 Ft
Kosárba tesz
Alapadatok
Hivatkozási szám
MSZ EN 62417:2010
Dokumentumazonosító
150398
Cím
Félvezető eszközök. Fém-oxid félvezetős tranzisztorok (MOSFET-ek) mobilionos vizsgálatai (IEC 62417:2010)
Angol cím
Semiconductor devices. Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) (IEC 62417:2010)
Alkalmazási terület
This present standard provides a wafer level test procedure to determine the amount of positive mobile charge in oxide layers in metal-oxide semiconductor field effect transistors. . It is applicable to both active and parasitic field effect transistors. The mobile charge can cause degradation of microelectronic devices, e.g. by shifting the threshold voltage of MOSFETs or by inversion of the base in bipolar transistors.
ICS
31.080 Félvezető eszközök
Műszaki Bizottság
MSZT/MCS 820 - Elektronikai alkatrészek
A szabvány nyelve
angol
Az érvényesség kezdete
2010-09-01
További adatok
Forrás
idt EN 62417:2010; idt IEC 62417:2010
Előd
Utód
Módosítás
Kiegészítő információk
SZK-közlemények
Kapcsolódó európai jogszabály
Kereskedelmi adatok
A szabvány
kapható formátuma
Papír ,
PDF (letöltés) (a fájl mérete: 293953) ,
oldalszáma
8 oldal; D kategória
ára
Nettó: 6200 Ft
Bruttó:
Papír formátum esetén (5% Áfával): 7812 Ft
PDF (letöltés) formátum esetén (27% Áfával): 7874 Ft
Szabvány életútja
Elődök

Jelenleg nincsenek előzmények

Megtekintett szabvány

MSZ EN 62417:2010

2010-09-01

Utódok

Jelenleg nincsenek utódok