Hivatkozási szám

MSZ EN 62417:2010

Dokumentumazonosító

150398

Cím

Félvezető eszközök. Fém-oxid félvezetős tranzisztorok (MOSFET-ek) mobilionos vizsgálatai (IEC 62417:2010)

Angol cím

Semiconductor devices. Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) (IEC 62417:2010)

Alkalmazási terület

This present standard provides a wafer level test procedure to determine the amount of positive mobile charge in oxide layers in metal-oxide semiconductor field effect transistors. . It is applicable to both active and parasitic field effect transistors. The mobile charge can cause degradation of microelectronic devices, e.g. by shifting the threshold voltage of MOSFETs or by inversion of the base in bipolar transistors.

ICS

31.080 Félvezető eszközök

Műszaki Bizottság

A szabvány nyelve

angol

Az érvényesség kezdete

2010-09-01

Forrás

idt IEC 62417:2010; idt EN 62417:2010

Előd

Utód

Módosítás

SZK-közlemények

Kapcsolódó európai jogszabály

A szabvány

kapható formátuma

Papír ,
PDF (letöltés) (a fájl mérete: 293953) ,

oldalszáma

8 oldal; D kategória

ára

Nettó: 6200 Ft
Bruttó:
Papír formátum esetén (5% Áfával): 7812 Ft
PDF (letöltés) formátum esetén (27% Áfával): 7874 Ft